កោសិកាពន្លឺព្រះអាទិត្យ ត្រូវបានគេស្គាល់ផងដែរថាជា "បន្ទះសៀគ្វីថាមពលពន្លឺព្រះអាទិត្យ" ឬ "កោសិកា photovoltaic" គឺជាសន្លឹក semiconductor optoelectronic ដែលប្រើពន្លឺព្រះអាទិត្យដើម្បីបង្កើតអគ្គិសនីដោយផ្ទាល់។កោសិកាពន្លឺព្រះអាទិត្យតែមួយមិនអាចប្រើប្រាស់ដោយផ្ទាល់ជាប្រភពថាមពលបានទេ។ក្នុងនាមជាប្រភពថាមពល កោសិកាពន្លឺព្រះអាទិត្យតែមួយជាច្រើនត្រូវតែភ្ជាប់ជាស៊េរី ដោយភ្ជាប់ស្របគ្នា និងខ្ចប់យ៉ាងតឹងចូលទៅក្នុងសមាសធាតុ។
បន្ទះស្រូបពន្លឺព្រះអាទិត្យ (ហៅផងដែរថា ម៉ូឌុលកោសិកាសូឡា) គឺជាការប្រមូលផ្តុំនៃកោសិកាពន្លឺព្រះអាទិត្យជាច្រើនដែលបានប្រមូលផ្តុំគ្នា ដែលជាផ្នែកស្នូលនៃប្រព័ន្ធផលិតថាមពលពន្លឺព្រះអាទិត្យ និងជាផ្នែកសំខាន់បំផុតនៃប្រព័ន្ធផលិតថាមពលពន្លឺព្រះអាទិត្យ។
ចំណាត់ថ្នាក់
បន្ទះស្រូបពន្លឺព្រះអាទិត្យ monocrystalline silicon
ប្រសិទ្ធភាពបំប្លែង photoelectric នៃបន្ទះស្រូបពន្លឺព្រះអាទិត្យ monocrystalline silicon គឺប្រហែល 15% និងខ្ពស់បំផុតគឺ 24% ដែលជាប្រសិទ្ធភាពបំប្លែង photoelectric ខ្ពស់បំផុតនៃបន្ទះស្រូបពន្លឺព្រះអាទិត្យគ្រប់ប្រភេទ ប៉ុន្តែតម្លៃនៃការផលិតគឺខ្ពស់ណាស់ ដែលមិនអាចប្រើប្រាស់បានទូលំទូលាយ។ បរិមាណ។បានប្រើ។ដោយសារស៊ីលីកុន monocrystalline ជាទូទៅត្រូវបានរុំព័ទ្ធដោយកញ្ចក់ tempered និងជ័រមិនជ្រាបទឹក វារឹងមាំ និងប្រើប្រាស់បានយូរ ហើយអាយុកាលសេវាកម្មរបស់វាជាទូទៅមានដល់ទៅ 15 ឆ្នាំ រហូតដល់ 25 ឆ្នាំ។
បន្ទះសូឡា Polycrystalline Silicon
ដំណើរការផលិតបន្ទះស្រូបពន្លឺព្រះអាទិត្យ polycrystalline silicon គឺស្រដៀងគ្នាទៅនឹងបន្ទះសូឡា monocrystalline silicon ប៉ុន្តែប្រសិទ្ធភាពនៃការបំប្លែង photoelectric នៃបន្ទះសូឡា polycrystalline silicon គឺទាបជាងច្រើន ហើយប្រសិទ្ធភាពនៃការបំប្លែង photoelectric គឺប្រហែល 12% (នៅថ្ងៃទី 1 ខែកក្កដា ឆ្នាំ 2004 ប្រសិទ្ធភាព ការចុះបញ្ជីរបស់ក្រុមហ៊ុន Sharp នៅប្រទេសជប៉ុនគឺ 14.8%) ។បន្ទះស្រូបពន្លឺព្រះអាទិត្យ polycrystalline silicon ដែលមានប្រសិទ្ធភាពខ្ពស់បំផុតរបស់ពិភពលោក)។នៅក្នុងលក្ខខណ្ឌនៃតម្លៃផលិតកម្មវាមានតម្លៃថោកជាងបន្ទះសូឡា monocrystalline silicon សម្ភារៈគឺសាមញ្ញក្នុងការផលិតការប្រើប្រាស់ថាមពលត្រូវបានរក្សាទុកហើយតម្លៃផលិតកម្មសរុបគឺទាបជាងដូច្នេះវាត្រូវបានអភិវឌ្ឍយ៉ាងខ្លាំង។លើសពីនេះ អាយុកាលសេវាកម្មនៃបន្ទះស្រូបពន្លឺព្រះអាទិត្យ polycrystalline silicon ក៏ខ្លីជាងបន្ទះសូឡា monocrystalline silicon ផងដែរ។នៅក្នុងលក្ខខណ្ឌនៃការអនុវត្តការចំណាយ, បន្ទះសូឡា monocrystalline silicon គឺល្អប្រសើរជាងមុនបន្តិច។
Amorphous Silicon Solar Panel
បន្ទះស្រូបពន្លឺព្រះអាទិត្យ Amorphous silicon គឺជាបន្ទះស្រូបពន្លឺព្រះអាទិត្យប្រភេទស្តើងប្រភេទថ្មី ដែលបានបង្ហាញខ្លួនក្នុងឆ្នាំ 1976។ វាខុសគ្នាទាំងស្រុងពីវិធីសាស្រ្តផលិតបន្ទះសូឡា monocrystalline silicon និង polycrystalline silicon solar panels។ដំណើរការនេះត្រូវបានធ្វើឱ្យសាមញ្ញយ៉ាងខ្លាំង ការប្រើប្រាស់សម្ភារៈស៊ីលីកុនគឺតូចណាស់ ហើយការប្រើប្រាស់ថាមពលគឺទាបជាង។អត្ថប្រយោជន៍ចម្បងគឺថាវាអាចបង្កើតអគ្គិសនីសូម្បីតែនៅក្នុងលក្ខខណ្ឌពន្លឺទាប។ទោះជាយ៉ាងណាក៏ដោយបញ្ហាចម្បងនៃបន្ទះស្រូបពន្លឺព្រះអាទិត្យអាម៉ូហ្វូសស៊ីលីកុនគឺថាប្រសិទ្ធភាពនៃការបំប្លែង photoelectric មានកម្រិតទាបកម្រិតកម្រិតខ្ពស់អន្តរជាតិគឺប្រហែល 10% ហើយវាមិនមានស្ថេរភាពគ្រប់គ្រាន់ទេ។ជាមួយនឹងការពន្យាពេល ប្រសិទ្ធភាពនៃការបំប្លែងរបស់វាធ្លាក់ចុះ។
បន្ទះស្រូបពន្លឺព្រះអាទិត្យចម្រុះ
បន្ទះស្រូបពន្លឺព្រះអាទិត្យចម្រុះ សំដៅលើបន្ទះស្រូបពន្លឺព្រះអាទិត្យដែលមិនត្រូវបានធ្វើពីវត្ថុធាតុ semiconductor តែមួយ។មានការស្រាវជ្រាវជាច្រើនប្រភេទនៅក្នុងប្រទេសផ្សេងៗគ្នា ដែលភាគច្រើនមិនត្រូវបានកែច្នៃជាឧស្សាហកម្ម ភាគច្រើនរួមមានដូចខាងក្រោម៖
ក) បន្ទះស្រូបពន្លឺព្រះអាទិត្យ Cadmium sulfide
ខ) បន្ទះស្រូបពន្លឺព្រះអាទិត្យ GaAs
គ) បន្ទះស្ពាន់ indium selenide ពន្លឺព្រះអាទិត្យ
ពេលវេលាបង្ហោះ៖ ថ្ងៃទី ៣០ ខែធ្នូ ឆ្នាំ ២០២២